TSMC (TSM) تدرس إنتاج ذاكرة DRAM ثلاثية الأبعاد بناءً على طلب NVIDIA وفق تقرير في 6 نوفمبر

طلب NVIDIA لذاكرة DRAM ثلاثية الأبعاد

بدأت TSMC (TSM) مراجعة الكيفية التي ستصنع بها ذاكرة DRAM ثلاثية الأبعاد، وهي ذاكرة تُكدِّس خلايا التخزين عموديًا داخل رقاقة واحدة، بناءً على طلب أكبر عملائها NVIDIA (NVDA). ويستند تقرير نُشر في 6 نوفمبر إلى شخصين على اطلاع مباشر بالملف، ويرسم مسارين محتملين أمام مصانع المعالجات المُؤجَّرة: إمّا بناء مصنع جديد، أو الاستحواذ على مصنع قائم وإعادة تحويله. ولم يحدد التقرير أي موعد لبدء الإنتاج. ورفضت TSMC التعليق، معيدةً إلى تركيزها على خدمات تجارة المنطق المُؤجَّرة وعدم استجابتها للمضاربات السوقية.

تختلف التقنية محل النقاش عن ذاكرة HBM المجاورة لمسرّعات الذكاء الاصطناعي اليوم. فذاكرة HBM تكدّس عدة شرائح ذاكرة مكتملة التصنيع فوق شريحة قاعدة، وهي الطبقة السفلى التي تربط الذاكرة بوحدة المعالجة الرسومية. أما ذاكرة DRAM ثلاثية الأبعاد فتُكدّس خلايا التخزين نفسها داخل رقاقة واحدة، وهو المفهوم نفسه الذي تقوم عليه ذاكرة النيند ثلاثية الأبعاد 3D NAND القائمة بالفعل في الإنتاج الضخم. ويقول صنّاع الذاكرة إن مصفوفة الخلايا هذه هي بالضبط حيث تبدأ منطقتهم. وتحكي معطيات سابقة منشورة في أكتوبر عن بنية NVHBM لدى NVIDIA، التي ستضع وحدات تحكم مخصصة بالذاكرة مباشرة داخل شريحة القاعدة، مع تكليف كل من Samsung وSK Hynix وMicron ببناء تلك الشرائح على عملية 3 نانومتر لدى TSMC، وقد أبدت Samsung موافقتها على ما ورد في المعطيات. وتضمّ التحالف المسمى 3DFabric الذي تديره الشركة المُؤجِّرة الشركات الثلاث للذاكرة ضمن أعضائه. فالطلب يلمس الحد الذي حافظت عليه الشركة المُؤجِّرة الصرفة ربع قرن كامل بين تصنيع المنطق وعمل الذاكرة الذي خرجت منه يومًا. وظل رد فعل السوق محدودًا حتى الآن: تُظهر بيانات COINOTAG تداول TSM آخر مرة عند 378.75 دولار، بارتفاع 0.21% خلال 24 ساعة الماضية.

شرائح القاعدة لا خلايا التخزين

دفع قطاع أشباه الموصلات التايواني خلال يومين ضد إطار السرد الإنتاجي. وتعيد المقابلات التي نشرتها صحيفة الاقتصادية التايوانية في 8 نوفمبر رسم خريطة تقسيم العمل: يمكن لـTSMC أن تتولى تصنيع شريحة قاعدة HBM4 والترابط الهجين SoIC، وهو أسلوبها لترابط الشرائح وجهًا لوجه، بينما تبقى مصفوفة خلايا تخزين DRAM تخصصًا لشركات الذاكرة. فالتعاون على شريحة القاعدة، بحكمتهم، ليس صناعة ذاكرة. وللانفصال أساس فيزيائي: ترانزستورات المنطق مصممة للتبديل السريع، بينما تتطلب خلايا DRAM مكثفات عالية وتيار تسريب منخفضًا جدًا، وخطوات المعالجة الطويلة ذات الحرارة المرتفعة في تصنيع ذاكرة DRAM تحد مما يمكن دمجه على الشريحة ذاتها.

وضع SK Hynix النموذج الحالي في أبريل 2024، حين وقّعت مذكرة تفاهم مع TSMC حول تطوير HBM4 والتغليف من الجيل القادم، مع خطة معلنة لتطبيق عملية المنطق لدى TSMC على شريحة قاعدة HBM4 الخاصة بها. ويقع هذا العمل داخل إطار 3DFabric لدى الشركة المُؤجِّرة، لا ضمن أي ترتيب لخلايا DRAM. ويقدّم التاريخ للشكك حجّتهم الأقوى. ففي عام 1999 استحوذت TSMC على نحو 30% من شركة TI-Acer، مشروع ذاكرة DRAM خاسر أسسته Acer مع Texas Instruments، ثم دمجت الحصة المتبقية يوم الجمعة 30 يونيو 2000، وأدمجت المصنعين في المصنعين 7 و8. وتنص البيان الصحفي الذي أصدرته TSMC في يوليو 2000 على أن 75% من طاقة المصنع 7 كانت تخدم عملاء الشركة بالفعل، وأن الخطوط تحوّلت نحو تجارة المنطق المُؤجَّرة بدل ذاكرة DRAM القياسية. ويستحضر رجال القطاع المذكورون في الصحيفة الاقتصادية التايوانية اقتصاديات الأمر: فذاكرة DRAM القياسية تحمل قوة تسعير ضعيفة وإنفاقًا رأسماليًا ثقيلًا، سنة قوية واحدة تموّل عدة سنوات ضعيفة. وأوجز تعليقهم الحادّ في أن العاملين في ترويج قصة الإنتاج ينبغي، بعباراتهم، أن يُلزموا بقراءة سيرة موريس تشانغ مئة مرة.

مقاومة عند 383.35 دولار لم تُختبر

حين تُقرأ معطيات السوق على ضوء السجل الأولي، يصف التقرير امتدادًا بدافع من عميل لنشاط التغليف لدى TSMC، لا تحركًا مؤكدًا نحو ذاكرة السلع الأساسية. ولا شيء في تصريحات الشركة نفسها يدعم إنتاج الخلايا، ونموذج عمل قائم على عدم التنافس مع العملاء، ثلاثة منهم داخل 3DFabric، يدفع بالاتجاه ذاته. وتضع بيانات COINOTAG المركّبة أقوى مقاومة عند 383.35 دولار بقوة 82 من 100، وأقرب دعم عند 371.92 دولار بقوة 69 من 100؛ وقد تداول السهم خلال 24 ساعة الماضية بين 376.82 و380.23 دولار، فلم يُختبر أي من المستويين منذ صدور الخبر. ويقرأ مؤشر القوة النسبية اليومي عند 36.5 مع إشارة MACD هابطة داخل اتجاه تنازلي، ما يُبقي السهم دون خريطة المقاومة المقيّمة لدينا حتى يتغير المشهد بقرار مصنع أو بطلب HBM4 محدد الأسماء.